Большая Советская Энциклопедия (ПА)
Шрифт:
Параметр потока отказов
Пара'метр пото'ка отка'зов, показатель надёжности ремонтируемых технических устройств. Характеризует среднее количество отказов ремонтируемого устройства в единицу времени; зависит от времени.
Параметр удара
Пара'метр уда'ра, прицельное расстояние, прицельный параметр, в классической теории рассеяния частиц — расстояние между рассеивающим силовым центром и линией первоначального движения рассеивающейся частицы.
Параметрит
Параметри'т (от пара ... и греч. m'etга — матка), воспаление тазовой клетчатки, расположенной около матки . Вызывается чаще всего стафило- и стрептококками, кишечной палочкой, которые проникают в клетчатку из шейки матки (при абортах, особенно внебольничных), из её тела (после осложнённых родов), реже из др. органов (прямая кишка, мочевой пузырь). П. начинается на 2-й неделе послеродового или послеабортного периодов общим недомоганием, слабостью, ознобом, повышением температуры до 38—39 °С, небольшими болями внизу живота. Возникающий в клетчатке воспалительный инфильтрат доходит до стенок малого таза . Через 1—2 недели, как правило, происходит рассасывание инфильтрата. Нагноение наблюдается редко.
Лечение в острой стадии: покой, холод на низ живота, антибиотики, противовоспалительные средства; в хронической стадии для рассасывания инфильтрата — физиотерапевтические процедуры. Профилактика— предупреждение занесения инфекции во время родов и абортов, борьба с незаконными абортами.
Лит.: Бартельс А. В., Послеродовые инфекционные заболевания, М., 1973.
А. П. Кирюгценков.
Параметрические генераторы света
Параметри'ческие генера'торы све'та, источники когерентного оптического излучения, основным элементом которых является нелинейный кристалл, в котором мощная световая волна фиксированной частоты параметрически возбуждает световые волны меньшей частоты. Частоты параметрически возбуждаемых волн определяются дисперсией света в кристалле. Изменение дисперсии среды, т. е. величины n , позволяет управлять частотой волн, излучаемых П. г. с.
П. г. с. предложен в 1962 С. А. Ахмановым и Р. В. Хохловым (СССР). В 1965 были созданы первые П. г. с. Джорджмейном и Миллером (США) и несколько позднее Ахмановым и Хохловым с сотрудниками. Световая волна большой интенсивности (волна накачки), распространяясь в кристалле, модулирует его диэлектрическую проницаемость e (см.Нелинейная оптика ). Если поле волны накачки: Ен = Ено sin (wнt— кнх + jн ) (кн = wн /uн — волновое число , jн — начальная фаза), диэлектрическая проницаемость e изменяется по закону бегущей волны: e = e [1 +m sin (wнt + кнх + jн ], где m = 4pcЕн0/ e называется глубиной модуляции диэлектрической проницаемости, c— величина, характеризующая нелинейные свойства кристалла. У входной грани (х = 0) кристалла с переменной во времени диэлектрической проницаемостью e возбуждаются электромагнитные колебания с частотами w1 и w2 и фазами j1 , j2 , связанными соотношениями: w1 +w2 = wн и j1 + j2 = jн , аналогично параметрическому возбуждению колебаний в двухконтурной системе (см. Параметрическое возбуждение и усиление электрических колебаний ). Колебания с частотами w1 , w2 распространяются внутри кристалла в виде двух световых волн. Волна накачки отдаёт им свою энергию на всём пути их распространения, если выполняется соотношение между фазами:
jн (х ) = j1 (х ) + j2 (х ) + p/2. (1)
Это соответствует условию фазового синхронизма:
к1+ к2= кн. (2)
Соотношение (2) означает, что волновые векторы волны накачки кн и возбуждённых волн k1 и k2 образуют замкнутый треугольник. Из (2) следует условие для показателей преломления кристалла на частотах wн , w1 , w2 : n (wн ) ³ n (w2 )+ [n (w1 ) — n (w2 )] w1 /wн .
При фазовом синхронизме амплитуды возбуждаемых волн по мере их распространения в кристалле непрерывно увеличиваются:
где d — коэффициент затухания волны в обычной (линейной) среде. Очевидно, параметрическое возбуждение происходит, если поле накачки превышает порог:
2ne (wн , Jс ) = n (w1 ) + n (wн —w1 ),
2ne (wн ,Jс ) = n (w2 ) + ne (wн —w2 ). (4)
Угол Jс относительно оптической оси кристалла называется углом синхронизма, является функцией частот накачки и одной из возбуждаемых волн. Изменяя направление распространения накачки относительно оптической оси (поворачивая кристалл), можно плавно перестраивать частоту П. г. с. (рис. 2 ). Существуют и др. способы перестройки частоты П. г. с., связанные с зависимостью показателя преломления n от температуры, внешнего электрического поля и т.д.
Для увеличения мощности П. г. с. кристалл помещают внутри открытого резонатора , благодаря чему волны пробегают кристалл многократно за время действия накачки (увеличивается эффективная длина кристалла, рис. 3 ). Перестройка частоты такого резонаторного П. г. с. происходит небольшими скачками, определяемыми разностью частот, соответствующих продольным модам резонатора. Плавную перестройку можно осуществить, комбинируя повороты кристалла с изменением параметров резонатора.
Во многих странах организован промышленный выпуск П. г. с. Источником накачки служит излучение лазера (импульсного и непрерывного действия) или его оптических гармоник. Существующие П. г. с. перекрывают диапазон длин волн от 0,5 до 4 мкм . Разрабатываются П. г. с., перестраиваемые в области l 10—15 мкм . Отдельные П. г. с. обеспечивают перестройку частоты в пределах 10% от wн . Уникальные характеристики П. г. с. (когерентность излучения, узость спектральных линий, высокая мощность, плавная перестройка частоты) превращают его в один из основных приборов для спектроскопических исследований (активная спектроскопия и др.), а также позволяют использовать его для избирательного воздействия на вещество, в частности на биологические объекты.
Лит.: Ахманов С. А., Хохлов Р. В., Параметрические усилители и генераторы света, «Успехи физических наук», 1966, т. 88, в. 3, с. 439; Ярив А., Квантовая электроника и нелинейная оптика, пер. с англ., М., 1973.
А. П. Сухоруков.
Рис. 3. Нелинейный кристалл, помещенный в оптический резонатор; З1 и З2 — зеркала, образующие резонатор.
Рис. 2. а — условие синхронизма в нелинейном кристалле; J — угол между оптической осью кристалла и лучом накачки; Jс — направление синхронизма; б — изменение длины волнового вектора kн необыкновенной волны накачки и обыкновенных генерируемых волн k1 и k2 при повороте кристалла; в — зависимость частот w1 и w2 генерируемых волн от J.
Рис. 1. Зависимость показателя преломления n от частоты волны w при нормальной дисперсии.
Параметрический полупроводниковый диод
Параметри'ческий полупроводнико'вый дио'д, полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n– перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n– перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в ) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц ) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке C и постоянную времени диода ts = rs • C , где rs — суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n- переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения Uдоп на диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: C =0,01— 2 пф , ts = 0,1—2 nceк , Uдоп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К.