Чтение онлайн

Следующее окно показывает список доступных программ, включая Capture CIS, Express, PSpice A/D и Layout Plus, как показано на рис. С.1. Если у вас достаточно места на диске, рекомендуем установить все программное обеспечение. Если у вас нет последней версии программы Adobe Acrobat Reader, установите также и эту программу. По умолчанию задан путь

но вы можете выбрать удобные для вас диск и папки для инсталляции.

Рис. С.1. Список доступных программ

Каждая из программ будет установлена в отдельную папку (или подкаталог): Capture, Document, Layout_Plus и PSpice. После установки на рабочем столе должны появиться ярлыки для Capture CIS и PSpice. Примеры из первых тринадцати глав книги созданы в текстовом редакторе, который встроен в программу PSpice. Попасть в текстовый редактор можно, открыв программу PSpice и выбрав из главного меню File, New, Text File.

Различные руководства по OrCAD PSpice загружаются с CD-ROM и включают в себя capug.pdf, pspice.pdf и pspicead.pdf. Они находятся в папке

вместе со многими другими файлами, имеющими расширение *.pdf. Хотя эти руководства используются в ссылках по различным темам, не стоит пытаться распечатать их, так как каждое содержит несколько сотен страниц. Отметим также, что многие из тем, описанных и иллюстрируемых в руководствах, недоступны в демонстрационной версии программного обеспечения. Лучше всего просто узнать, где найти справку по теме по оглавлению и при необходимости обращаться к файлу pspicead.pdf. Файл pspice.pdf можно использовать, когда не нужен аналоговый/цифровой интерфейс. Титульный лист этого руководства в Acrobat Reader показан на рис. С.2. Расширение *.pdf означает, что файлы доступны для просмотра и печати из Acrobat Reader.

Рис. С.2. Руководство пользователя PSpice

Если в программе OrCAD Capture выбрать Help, OrCAD Express, Learning Express, вы получите экран Learning Express Demo (рис. С.3), который позволяет выйти в меню уроков, показанное на рис. С.4. Шесть уроков разработаны, чтобы помочь вам познакомиться с основными сведениями о создании рисунка схемы в Capture, затем выполнить моделирование в PSpice. Термин «ускоренное обучение» означает, что вы сможете выполнить моделирование всего через несколько уроков. Не забывайте, что наш подход заключается в том, чтобы подождать с созданием схем в Capture, пока не будут достаточно усвоены основы PSpice. Начало упражнения на входе проекта показывается на рис. С.5.

Рис. С.3. Демонстрационная программа ускоренного обучения

Рис. С.4. Меню уроков ускоренного обучения

Рис. С.5. Упражнение по созданию схемы

Если вы хотите глубже изучить упражнения, приведенные в главах, посвященных программе Capture, выберите Help, Learning Capture. Набор упражнений в первых тринадцати главах касается намного большего числа тем и рассматривает их более подробно, чем при ускоренном обучении. Так как эти уроки потребуют значительных временных затрат, не стоит обращаться к ним, пока не возникнет действительная необходимость; при этом можно ознакомиться только с уроком, представляющим для вас интерес. Меню для этих уроков показано на рис. С.6.

Рис. С.6. Меню уроков по Capture

Знак * указывает, что элемент может быть повторен.

В[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> <[площадь]>;

[площадь] — относительная площадь устройства, по умолчанию ее значение равно 1. Компонент GaAsFET, как показано на рис. D.1, смоделирован как встроенный полевой транзистор (FET) с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, второе омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком и третье омическое сопротивление RG — последовательно с затвором. [10]

Curtice и Raytheon представляют собой модели, названные по именам авторов. Описание приведено, соответственно, в работах:

[1] W. R. Curtice, «А MOSFET model for use in the design of GaAs integrated circuits», IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-28, 448-456 (1980).

[2] H. Statz, P. Newman, I. W. Smith, R. A. Pucel, and H. A. Haus, «GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE», IEEE Transactions on Electron Devices, ED-34,160-169 (1987). (Прим. переводчика.)

Рис. D.1. Модель для арсенид-галлиевых транзисторов GaAsFET

С<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]

Если [имя модели] отсутствует, то <значение> приведенное далее, представляет собой емкость в фарадах. Если [имя модели] задано, то емкость вычисляется по формуле

<3начение> C(I + VC1·V + VC2·V²)(I + TC1(T – Tnom) + TC2(T - Tnom)²),

где Tnom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.

D<имя> <+узел> <-узел> <имя модели> [площадь]