OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей
Шрифт:
Выходные характеристики полевых транзисторов
Демонстрационная версия PSpice содержит модели для двух типов n-канальных полевых транзисторов (JFET) в библиотеке EVAL.LIB. Получим необходимый набор выходных характеристик для транзистора J2N3819. Входной файл для анализа схемы рис. 11.1 содержит следующие команды:
Рис. 11.1. Схема для снятия характеристик полевых транзисторов JFET
Вложенный цикл команды .DC позволяет получить пять характеристик при целочисленных значениях VGS от 0 до -4 В.
Однако после выполнения анализа вы обнаружите только четыре характеристики (рис. 11.2). Так как верхний график соответствует V
Рис. 11.2. Выходные характеристики транзисторов JFET
Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах
При получении входных характеристик величина VGS используется во внешнем цикле команды .DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения VDD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три характеристики. Нижняя характеристика соответствует VDD=2 В. Для последующего использования полезно маркировать характеристики. Входной файл для анализа
Характеристики с соответствующими метками показаны на рис. 11.3.
Рис. 11.3. Входные характеристики транзисторов JFET
Библиотека рабочей версии содержит только n-канальные JFET. Если вам необходим p-канальный JFET, то вы может вставить команду .MODEL во входной файл или изменить библиотеку EVAL.LIB, чтобы включить одно или большее количество таких устройств. Ввод модели для J2N3819 осуществляется следующим образом:
Обратите внимание, что для порогового напряжения задано значение Vt0=-3 В. Когда используется р-канальный JFET, модель должна быть PJF (а не NJF) и должно использоваться положительное значение Vt0.
Токи смещения полевых транзисторов
Схема с автоматическим смещением приведена на рис. 11.4. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле:
Рис. 11.4. Схема с автоматическим смещением транзистора JFET
Выходной файл приведен на рис. 11.5. Чтобы посмотреть, совпадают ли результаты стандартного схемотехнического расчета и анализа на PSpice, необходимо найти значение IDSS. Выполните анализ, подобный показанному на рис. 11.2, и убедитесь, что для этого JFET IDSS=1,78 мА. Сравните ваши результаты с рис. 11.6. Воспользовавшись этим значением, найдем
Рис. 11.5. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. 11.4
Рис. 11.6 Выходные характеристики схемы на рис. 11.4
Используем теперь значение IDSS, полученное в PSpice, чтобы найти VGSS. В следующем уравнении IDSS представляет собой ток стока при насыщении: