Чтение онлайн

Состав предприятий Научного центра, по замыслу, должен был охватывать все аспекты микроэлектроники, весь цикл «исследование – производство». Первыми в 1962 году были созданы системное предприятие НИИ микроприборов с заводом «Компонент» (НИИМП, директор И.Н. Букреев) и институт по разработке спецтехнологического оборудования (в основном термического) НИИ точного машиностроения (НИИТМ директор Е.Х. Иванов) с заводом электронного машиностроения «Элион». Немедленно было развернуто их строительство, но, не дожидаясь появления новых зданий, на временных площадях, предприятия развернули работу, и через несколько месяцев, в мае 1963 года, в НИИТМ уже были созданы первые образцы вакуумного напылительного оборудования. На правах филиалов НЦ организуются пять конструкторских бюро, в том числе КБ-5 в Минске, в задачи которого вошли разработка и производство сборочного и оптико-механического оборудования для электронной промышленности. Кстати, выходу постановления предшествовала длительная борьба с машиностроительным лобби, доказывавшим бессмысленность создания в отрасли специализированных машиностроительных предприятий, но жизнь подтвердила правильность принятого решения. Фактически это постановление ознаменовало создание подотрасли – электронное машиностроение.

В июне 1963 года были организованы НИИ точной технологии, предназначенный для разработки интегральных схем по гибридной технологии с заводом «Ангстрем» (НИИТТ, директор В.С. Сергеев), НИИ материаловедения (НИИМВ, директор А.Ю. Малинин) с заводом «Элма» (электронные материалы), основным направлением работ которых были материалы для микроэлектроники. К концу 1963 года завершилось строительство первой очереди производственного корпуса завода «Элион», а в следующем году было создано первое предприятие по созданию монолитных интегральных схем – НИИ молекулярной электроники (НИИ МЭ) с заводом «Микрон». Для работы с потребителями было предусмотрено Центральное бюро применений интегральных схем (ЦБПИМС), а поисковыми исследованиями должен был заниматься НИИ физических проблем. 28 декабря 1963 года А.И. подписал приказ об организации дирекции Центра микроэлектроники (ДНЦ) и утвердил ее структуру.

Очень сложно для А.И. было убедить борцов за экономию в строительстве, что на предприятиях полупроводниковой промышленности внутренние стены должны быть облицованы непременно мрамором (на нем не оседает пыль), что применять конструкции перегородок из черного металла по тем же требованиям вакуумной гигиены нельзя, что применением дорогой гранитной облицовки ступеней наружных лестниц и цоколей, не требующих ежегодного ремонта, достигается большая экономия при эксплуатации и т. д. и т. п. По многим совершенно очевидным для А.И. Шокина, да и любого грамотного человека с государственным подходом, вещам приходилось преодолевать сопротивление легионов безответственных чиновников, не пройдя которых, нельзя было добраться до лица, способного принять нужное решение. Одним из рабочих моментов создания Зеленограда был визит туда летом 1964 года секретаря МГК КПСС Н.Г. Егорычева и председателя Исполкома Моссовета В.Ф. Промыслова, под чьей эгидой работало специально образованное Управление «Зеленоградстрой».

Первоначально при создании интегральных схем ориентировались на так называемую гибридную технологию, когда на керамическую подложку наносятся (напыляются) проводники, резисторы, конденсаторы, а затем в нужных местах припаиваются бескорпусные транзисторы. Затем все это помещается в корпус. В Зеленограде первоначально больше внимания уделялось именно этому направлению микроэлектроники. То, что главными в ближайшие годы станут твердотельные полупроводниковые микросхемы, создаваемые по планарной технологии, для большинства было еще не очевидно.

В 1965 году на предприятиях Центра микроэлектроники уже было введено в строй 60 тысяч квадратных метров площадей, работало несколько тысяч человек. Усилиями НИИ точной технологии (директор В.С. Сергеев, главный инженер А.К. Катман) была разработана технология современных для того периода гибридных микросхем (ГИС) и начато их производство во введенных в строй корпусах завода «Ангстрем» – первого в стране специализированного завода по производству микросхем. Уровень этой технологии был очень высок, с применением оригинальных решений. Например, впервые в мире, задолго до Запада, здесь была придумана и широко внедрена лазерная подгонка элементов ГИС микросхем на оборудовании собственной разработки и изготовления.

По тонкопленочной технологии к осени 1963 г. в НИИМП был разработан самый маленький в мире радиоприемник «Микро». Первые его образцы были продемонстрированы Хрущеву, который распорядился патентовать все, что было связано с его изготовлением. В свои поездки в Данию, Швецию, Норвегию, Египет Хрущев брал микроприемники для подарков. Приемник «Микро» стал первым в СССР микроэлектронным изделием, которое серийно выпускалось промышленно. Пленочная технология потом была внедрена на предприятиях отрасли в Вильнюсе, Риге, Киеве. Выступая на Коллегии 2 октября 1964 г. и ставя задачи на 8-ю пятилетку, Председатель комитета призывал: «смелее браться за разработку узлов и блоков РЭА. Американцы в восторге от советских микроприемников, но успокаивают себя: «Русские долго организуют серийную технологию и не умеют торговать».

Но твердотельные микросхемы наступали, и после начала работ по планарной технологии в НИИ-35 в составе Научного центра в 1964 году для решения задач создания твердотельных интегральных схем был создан новый НИИ – молекулярной электроники. Пока под руководством первого директора И.А. Гуреева (по специальности строителя) в Зеленограде строился корпус института, в Москве в НИИ-35 родился первоначальный коллектив НИИМЭ. О том, что было дальше, вспоминает ныне академик К.А. Валиев:

«В конце 1964 года я был приглашен к министру, А.И. Шокину для беседы по поводу возможного назначения директором НИИ молекулярной электроники. Помню, встреча была не одна – решения о таких назначениях принимались, видимо, взвешенно. Помню также вопрос о здоровье: каково оно у меня? Я отвечал, что работоспособность у меня хорошая. В январе 1965 года на одном заседании коллегии Комитета по электронной технике были назначены два зеленоградских директора: Савин Виктор Васильевич – и.о. директора НИИТМ, и я – и.о. директора НИИМЭ. <…>

В начале 1965 года коллектив НИИМЭ уже способен был к каким-то конкретным действиям на ниве микроэлектроники. Но с чего начинать? Первые шаги реальных действий института полностью определялись А.И. Шокиным. Прежде всего он предложил перевести всех в Зеленоград. Здание НИИМЭ не готово. Был выделен один пролет в цехе завода «Элион» – примерно 1000 кв. м. Расположились прямо в цехе за рабочими столами, работаем. Над чем? Задача определена А.И. Шокиным: надо создать цех по производству бескорпусного «планарного» транзистора «Плоскость» (разработка НИИ «Пульсар»). В этой разработке аккумулирован отечественный опыт планарной технологии на кремнии, основные процессы которого пригодны и для изготовления интегральных схем. Для цеха выделен один пролет в «чистом» зале завода «Компонент». Примерно 1000 кв. м, рядом со строящимся зданием НИИМЭ.

Где взять оборудование для цеха? Совместно с нашими инженерами специалисты НИИ точного машиностроения в течение 6–9 месяцев разработали, изготовили и поставили полный комплект оборудования линии «Плоскость», включая установки для литографии и диффузионные печи» [303] .

В 1966 году здание НИИМЭ сдали в эксплуатацию, а его разработчиками были созданы технологии и начат выпуск первых серий полупроводниковых микросхем «Иртыш» (дифференциальная пара транзисторов), «Логика», «Микроватт».

Стремление А.И. к скорейшему внедрению разработок в практику и стиль его работы на примере полупроводниковых приборов и интегральных схем прослеживаются особенно хорошо.

Председатель Совмина заинтересовался микроэлектроникой

Одной из главных и одновременно одной из самых сложных задач было создание специального технологического оборудования, особенно оптико-механического. Планарная технология построена на многократном повторении фотолитографического процесса, в результате которого на кремниевой пластине создаются защищенные и незащищенные фоторезистом области. Последние подвергаются соответствующей технологической обработке, после которой вновь поступают на следующий цикл фотолитографии. При этом точности совмещения изображений в последующих циклах должны быть много меньше технологических минимальных размеров создаваемого на кремниевой пластине элемента. В 1968 году они составляли 8—10 мкм, а в 1970 – уже 2–5 мкм. Естественно, оптико-механическое оборудование, в частности фотоштампы, установки совмещения и экспонирования пластин, обеспечивающее фотолитографические процессы с такой точностью, попадало под торговое эмбарго западных стран. Отечественные же оптики-механики из Министерства оборонной промышленности (ГОИ и ЛОМО) под любыми предлогами отказывались от разработки нужных систем.

Поэтому решение этой задачи было возложено на вновь организованное в составе Центра КБ-5 в Минске. Впоследствии оно стало самостоятельным и получило название Конструкторское бюро точного электронного машиностроения (КБТЭМ). Первым его директором, И.М. Глазковым, был создан замечательный коллектив, прекрасное оптическое и механическое производство. К созданию оптико-механического оборудования была привлечена также широко известная фирма «Карл Цейс, Йена» (ГДР). В кратчайшие сроки КБТЭМ было оснащено самым современным зарубежным и отечественным обрабатывающим оборудованием, что в эпоху всеобщего распределения было беспрецедентным (вот это была настоящая поддержка!). Начав практически с нуля, предприятие создало и приступило уже в 1963 г. к серийному производству микроманипулятора для разварки выводов ММ-1, явившегося базой для последующих разработок микроманипуляторов, сборочного и фотолитографического оборудования. В последующие два года создаются: гамма установок сборки серии «Контакт» [304] , первые отечественные установки совмещения и экспонирования, фотокамеры, фотоповторители, координатографы. Параллельно осуществлялось их серийное производство.