Курс теоретической астрофизики
Шрифт:
Мы сейчас получим формулу, определяющую профиль эмиссионной линии при произвольном поле скоростей в оболочке. Примем также во внимание возможную непрозрачность оболочки для излучения в линии.
Будем рассматривать линию, возникающую при переходе из k-го состояния в i-е данного атома. Коэффициент поглощения ik и коэффициент излучения ik будем считать постоянными в интервале
ik
–
ik
2
<
<
ik
+
ik
2
и равными нулю вне этого интервала. Здесь ik — центральная частота линии,
ik
=
2
u
c
ik
,
где u — средняя тепловая скорость атома, c — скорость света.
Возьмём координатную систему xyz с началом координат в центре звезды и осью z, направленной к наблюдателю. Обозначим скорость движения атомов в оболочке через v(x,y,z) а её проекцию на ось z через vz(x,y,z) Будем считать, что v>>u.
Очевидно, что при сделанных предположениях относительно ik и ik излучение частоты будет посылаться к наблюдателю не всей оболочкой, а только её некоторой областью, расположенной по обе стороны от поверхности равных лучевых скоростей, определённой уравнением
=
ik
+
ik
c
v
z
(x,y,z)
.
(28.1)
Границы упомянутой области находятся от поверхности (28.1) по лучу зрения (т.е. по оси z) на расстоянии, соответствующем изменению частоты на величину ik/2. Обозначая граничные значения z через z и z и пользуясь малостью u по сравнению с v, получаем
ik
=
ik
c
vz
z
(z-z)
,
(28.2)
или
z-z
=
2u
|vz /z|
.
(28.3)
Пусть Iik(x,y,) — интенсивность излучения, идущего от точки диска звезды с координатами x,y в частоте внутри линии. Так как «толщина» слоя, дающего излучение в частоте (т.е. разность z-z), сравнительно невелика (за исключением отдельных мест), то величины ik и ik можно считать постоянными в этом слое вдоль оси z и равными их значениям на поверхности (28.1). Поэтому для интенсивности Iik(x,y,) имеем
I
ik
(x,y,)
=
ik
ik
1
–
exp
–
ik
(z-z)
.
(28.4)
Полная энергия, излучаемая оболочкой в частоте в единице телесного угла, даётся формулой
E
ik
=
I
ik
(x,y,)
dx
dy
.
(28.5)
Пользуясь (28.3) и (28.4), вместо (28.5) находим
E
ik
=
ik
ik
1
–
exp
–
2u
|vz /z|
ik
dx
dy
.
(28.6)
Интегрирование здесь производится по поверхности (28.1). Формула (28.6) и определяет искомый профиль эмиссионной линии.
Приближённо оболочка может быть разбита на две области: непрозрачную для излучения в рассматриваемой линии и прозрачную для этого излучения. В первой области величина (2u/|vz /z|)ik превосходит единицу, во второй она меньше единицы. Интеграл (28.6) в первой области равен
E
'
ik
=
ik
ik
dx
dy
,
(28.7)
а во второй
E
''
ik
=
ik
2u
|vz /z|
dx
dy
.
(28.8)
Входящие в приведённые формулы величины ik и ik следующим образом выражаются через концентрацию поглощающих атомов ni концентрацию излучающих атомов nk:
ik
=
nkAkihik
4ik
,
(28.9)
ik
=
niBikhik
ikc
1
–
gi
gk
ni
nk
,
(28.10)
где Aik и Bik —эйнштейновские коэффициенты переходов. Учитывая связь между Aik и Bik, получаем
ik
=
2h
ik
^3
1
.
ik
c^2
g
k
n
i
–
1
g
i
n
k
(28.11)
Соотношение (28.11), как это и должно быть, переходит в формулу Планка, когда nk/ni определяется формулой Больцмана.
Таким образом, для вычисления профиля эмиссионной линии необходимо знать как распределение скоростей в оболочке, так и распределение поглощающих и излучающих атомов. Ниже будет показано, как могут быть найдены величины ni и nk. Тем самым задача о вычислении профилей эмиссионных линий будет решена до конца.
В качестве примера применения формул (28.7) и (28.8) найдём профили эмиссионных линий, образованных оболочкой, расширяющейся с постоянной для всех слоёв скоростью (v=const). Обозначим через r расстояние данного объёма от центра звезды и через — угол между направлением движения атомов и направлением на наблюдателя. Тогда будем иметь
v
z
=
v
cos
,
vz
z
=
v
r
sin^2
,
(28.12)
а поверхность равных лучевых скоростей, соответствующая частоте , будет определяться уравнением
=
ik
+
ik
c
v
cos
.
(28.13)
Допустим сначала, что оболочка прозрачна для излучения в линии. Тогда из формулы (28.8), учитывая, что dx dy=2 sin^2r dr, получаем